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전주대학교 산학협력단

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우수연구진현황

기술이전 부문

박성수 교수

박성수 교수

  • 소 속 : 사범대학 과학교육과
  • 이 메 일 : sspark@jj.ac.kr
  • 연 구 실 : 교수연구동 519호
  • 연 구 분 야 : 화합물반도체
경력사항, 보직사항, 주요연구실적으로 구성된 박성수 교수의 학술 연구업적(인문사회예술계열)
경력사항
  • 한국산업평가관리원 산업기술 혁신 평가단 평가위원 (현재)
  • 국방과학연구소 평가위원(‘18. - 현재)
  • 중소기업기술개발 지원사업 평가위원(‘13. - ’17.)
  • 삼성전자(주) 프로젝트팀장('97.07. - '13.12.)
  • 삼성종합기술원(SAIT) 수석연구원 ('91.03. - '97.06.)
  • SAIT 선임연구원 ('86.09. - '91.02.)
보직사항  
주요 연구실적
  • [기술이전] 2019 탄소-유기소재 복합 네트워크형 면상 발열체를 적용한 저온장소 및 냉동고용 무전극램프 조명등 개발/ET/㈜이텍/노하우
  • [SCI] 2019 First observation of electronic trap levels in freestanding GaN crystals extracted from Si substrates by hydride vapour phase epitaxy, 『SCIENTIFIC REPORTS』
  • [SCI] 2018 Formation of in situ HVPE a-plane GaN nanodots:effects on the structural propreties of a-plane GaN templates, 『CrystEngComm』
  • [SCI] 2018 Electronic states of deep trap levels in a-plane GaN templates grown on r-plane sapphire by HVPE, 『SCIENTIFIC REPORTS』
  • [SCI] 2017 The investigation of stress in freestanding GaN crystals grown from Si substrates by HVPE, 『 SCIENTIFIC REPORTS』
  • [SCI] 2017 Nearly perfect GaN crystal via pit-assisted growth by HVPE, 『CrystEngComm』
  • [SCI] 2016 Thick GaN growth via GaN nanodot formation by HVPE, 『CrystEngComm』
  • [SCIE] 2018 Stress-engineered growth of homoepitaxial GaN crystals using hydride vapor phase epitaxy , 『RSC ADVANCES 』
  • [SCIE] 2018 Electronic Transport Mechanism for Schottky Diodes Formed by Au/HVPE a-Plane GaN Templates Grown via In Situ GaN Nanodot Formation, 『NANOMATERIALS』
  • [SCIE] 2018 InGaN/GaN Blue Light Emitting Diodes Using Freestanding GaN Extracted from a Si Substrate, 『 ACS PHOTONICS』
  • [SCIE] 2018 The investigation of in situ removal of Si substrates for freestanding GaN crystals by HVPE, 『RSC ADVANCES 』
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